收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR HIGH VOLTAGE PolarPAK ? Option xH
7.300
(0.2 8 7)
0.755
(0.030)
0.755
(0.030)
0.965
(0.03 8 )
0.5 8 0
(0.023)
0.410
(0.016)
1.7 8 0
(0.070)
0.965
(0.03 8 )
0. 8 95
(0.035)
0. 8 95
(0.035)
0.5 8 0
(0.023)
0.510
(0.020)
Dimensions in mm (inches)
N o external traces w ithin b order corners
Dot indicate gate pin (part marking)
Return to Index
Document Number: 68946
Revision: 28-Oct-08
www.vishay.com
7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIE822DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK
SIE830DF-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK
SIE848DF-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIHF15N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
SIHF18N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
SIHF6N40D-E3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
相关代理商/技术参数
SIE806DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE806DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE806DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE808DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIE808DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE808DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 220A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE810DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIE810DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 60A 125W 1.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube